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커패시터 1u
저항 330옴 짜리를 결과 나오는 곳에 달아서 측정한 결과로 더욱 깔끔하게 나오게 되었다.
ch1,ch2 10v 시간은 5ms
rc회로에서 저항 값을 변화 시키면서 측정 가변 저항은 0~10k 짜리 사용
주파수는 1kh
ch1, ch2 5v 시간이 500u일 때
저항 값이
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0K가 초기 상태)
S = Sf - Si
= Sf
*Gibbs 자유에너지
a. 자발적 반응: 우주의 엔트로피 증가 (제2법칙)
Suniv = Ssys + Ssurr > 0
Suniv = Ssys - Hsys/T > 0
T하면, T Suniv = T Ssys - Hsys > 0 (주위 항이 없어짐)
(-1)하면, -T Suniv = -T Ssys + Hsys < 0
순서만 변화, -T Suniv
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45
2W
450
0H
5
1H
50
2H
500
0J
6.3
1J
63
2J
630
0K
8
1K
80
2K
800 ◈ 저항값을 4가지 색띠로 표시하는 방법
◈ 저항값을 5가지 색띠로 표시하는 방법
◈ 상업적으로 판매되는 저항 소자의 표준값
◈ 콘덴서의 용량, 허용 오차 및 정격전압 표시 방법
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0K)에서의 엔트로피에 관한 정리(네른스트의 열정리)를 발표했는데, 이 정리는 M.플랑크에 의해 열역학 제3법칙으로 확립되었다.
열역학은 이들 3개 주법칙과, 열평형 개념 성립에 관한 법칙(열역학 제0법칙이라고 한다)을 기초로 하여 구성
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출력을 포토 커플러와 같은 절연소자를 사용하여 절연하고 이를 D/A변환하는 경우가 많다. A/D,D/A변환기
D/A컨버터
DAC0800의 특성
각 핀의 기능
D/A컨버터의 종류
0K-8051 키트에서의 D/A관련 회로
D/A컨버터를 사용할 때의 유의 사항
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0K) 존재
ㆍ열을 가해 부피가 팽창하는 현상 → 열팽창
ㆍ기체의 열팽창 → 샤를의 법칙이 적용
ㆍ기체에 열을 가할 경우
- 기체 분자의 운동이 활발해짐
- 분자 사이의 거리가 멀어 짐 → 부피 팽창
ㆍ압력이 일정할 때
- 기체의 온도 증가 →
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0k에서 10k으로 변할 때의 의 변화를 도시해 보면,
>> x = 0:0.1:10;
>> f = (0.7*(10-2*x))./(-x.^2+10*x+10);
>> plot(x,f);
을 얻을 수 있다. 위의 matlab의 결과는, 위의 실험 결과에서 구한 그래프와 거의 정확히 일치하는 것을 확인할 수 있다.
위의
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0K에서 완전한 결정의 엔트로피는 0이다.
②엔트로피는 계의 상태함수이기 때문에 화학반응의 엔트로피 변화는
생성물의 표준 엔트로피와 반응물의 표준 엔트로피의 차로부터 계산
△S°반응 = ∑S°생성물 - ∑S°반응물
③엔트로피는 크기의
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0K에서 완전한 결정의 엔트로피는 0이다.
②엔트로피는 계의 상태함수이기 때문에 화학반응의 엔트로피 변화는
생성물의 표준 엔트로피와 반응물의 표준 엔트로피의 차로부터 계산
△S°반응 = ∑S°생성물 - ∑S°반응물
③엔트로피는 크기의
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0kΩ 으로 했을 경우, 전압 이득이 그대로 1배임을 알 수 있다.
(4) 다음의 그림 11.4의 회로를 입력하라. V3는 VSIN을 이용하고 크기는 1V, 주파수는 1kHz로 하라. 10ms 동안의 Time Domain Analysis를 수행하여 V3와 U1B의 출력을 비교하라. C1을 0.1nF로 바꾸고
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